faq's
    • sic与si相比,绝缘击穿电场强度高约10倍,可达几千v的高耐压,另外单位面积的导通电阻非常低,可降低功率损耗。
      si在高耐压化时导通电阻变大,为了改善这一现象,主要使用igbt,但这有开关损耗大的问题。
      sic具有优异的高速开关性能。
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