gan hemt

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gan(氮化镓)是一种化合物半导体材料,作为下一代功率器件用的材料被寄予厚望。与以往的si器件相比,其开关性能和高频性能更加出色,因而在市场上的应用日益广泛。
不仅如此,其导通电阻也低于si器件,有望助力众多应用实现更低功耗和小型化。

150v gan hemt

rohm成功地将最大栅-源额定电压值提高至8v,产品非常适用于包括基站和数据中心在内的众多工业设备。

650v gan hemt

作为650v耐压的gan器件,实现了业内出色的fom(figure of merit),有助于提高电源效率,还可大大降低开关损耗,助力各种电源系统进一步提高效率。

rohm将有助于应用产品的节能和小型化的gan器件命名为“ecogan™系列”,并始终致力于进一步提高器件的性能。另外,rohm不仅致力于元器件的开发,还与业内相关企业积极建立战略爱游戏官网的合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。
* ecogan™是rohm co., ltd.的商标或注册商标。

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